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國(guó)林科技 （sz300786） +添加自選
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  • 2025-08-15 16:10
    irm1347477：恭喜公司順利復(fù)產(chǎn)，請(qǐng)問(wèn)公司停產(chǎn)期間，是否將晶體乙醛酸庫(kù)存處理完畢？做到輕裝上陣？
    國(guó)林科技：尊敬的投資者，您好。具體經(jīng)營(yíng)情況請(qǐng)您關(guān)注公司定期報(bào)告。感謝您的關(guān)注。
  • 2025-08-15 16:04
    irm1347477：公司在2024年報(bào)中提到公司的半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)在國(guó)內(nèi)晶圓芯片終端（fab）廠正式投入使用，請(qǐng)問(wèn)是否屬實(shí)？是國(guó)內(nèi)頭部的fab廠嗎？
    國(guó)林科技：尊敬的投資者，您好。公司相關(guān)情況請(qǐng)您以公司于指定信息披露媒體刊登的公告為準(zhǔn)。感謝您的關(guān)注。
  • 2025-08-15 15:55
    irm1347477：相比傳統(tǒng)等離子蝕刻，臭氧蝕刻對(duì)基材損傷更小，適用于高精度圖形化工藝。減少熱應(yīng)力，避免第三代半導(dǎo)體材料（如碳化硅）因高溫導(dǎo)致的晶格缺陷。公司到底有沒(méi)有蝕刻工藝的臭氧設(shè)備？能否用于第三代半導(dǎo)體制造？
    國(guó)林科技：尊敬的投資者，您好。公司現(xiàn)有半導(dǎo)體專用臭氧系統(tǒng)設(shè)備可以應(yīng)用于蝕刻工藝、第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝。感謝您的關(guān)注。
  • 2025-08-15 15:55
    irm1347477：美國(guó)mks官網(wǎng)上顯示其最先進(jìn)的半導(dǎo)體臭氧發(fā)生器產(chǎn)生的臭氧純度為99.9995％，即6N水準(zhǔn)。該產(chǎn)品已用于臺(tái)積電3nm芯片生產(chǎn)線。請(qǐng)問(wèn)公司的同類型半導(dǎo)體臭氧發(fā)生器的臭氧純度為多少？是多少N的水準(zhǔn)？能否達(dá)到同樣3nm芯片生產(chǎn)的要求？
    國(guó)林科技：尊敬的投資者，您好。純度指的是濃度，用mg/L單位來(lái)表示，99.9995%屬于描述不符。感謝您的關(guān)注。
  • 2025-08-15 15:55
    irm1347477：pcn印刷電路板，在焊接、組裝等工藝后，表面可能會(huì)殘留助焊劑、油污等。臭氧可以快速有效清洗這些污物。請(qǐng)問(wèn)公司的臭氧設(shè)備能否滿足pcb印刷電路板的清洗？
    國(guó)林科技：尊敬的投資者，您好。國(guó)林半導(dǎo)體現(xiàn)有產(chǎn)品具備廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性，能夠滿足各類場(chǎng)合中臭氧清洗的需求。感謝您的關(guān)注。
  • 2025-08-15 15:55
    irm1347477：某國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體臭氧設(shè)備廠商宣稱其設(shè)備產(chǎn)生的超純臭氧氣體純度達(dá)99.9995%，即5N水準(zhǔn)。請(qǐng)問(wèn)公司的臭氧設(shè)備能產(chǎn)生的半導(dǎo)體級(jí)超純臭氧氣體純度為多少？二氧化碳設(shè)備產(chǎn)生的半導(dǎo)體級(jí)二氧化碳?xì)怏w純度為多少？
    國(guó)林科技：尊敬的投資者，您好。純度指的是濃度，用mg/L單位來(lái)表示。99.9995%屬于描述不符。感謝您的關(guān)注。
  • 2025-08-15 15:54
    irm1347477：目前臭氧水清洗成為3nm以下先進(jìn)制程的優(yōu)選方案。目前國(guó)際東京電子（TEL）實(shí)驗(yàn)顯示，臭氧水對(duì)EUV 光刻膠的去除率比硫酸﹣雙氧水混合液(SPM）高20%，且無(wú)硫殘留。臺(tái)積電在3nm制程中采用臭氧水預(yù)處理，使晶圓缺陷密度降低15%。ASML的混合工藝：臭氧水+兆聲波（Megasonic）協(xié)同清洗，減少物理?yè)p傷。請(qǐng)問(wèn)公司是否了解上述行業(yè)發(fā)展？公司能否介紹一下臭氧水在3nm以下制程的優(yōu)勢(shì)？
    國(guó)林科技：尊敬的投資者，您好。臭氧水在3nm及以下先進(jìn)制程中的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在其高氧化性、清潔效率和環(huán)保特性上，能夠滿足半導(dǎo)體制造對(duì)精度、缺陷控制和材料兼容性的嚴(yán)苛要求。感謝您的關(guān)注。
  • 2025-08-15 15:54
    irm1347477：公司正在開(kāi)發(fā)紫外-臭氧聯(lián)用設(shè)備，可分解光刻膠顯影后的有機(jī)殘留物，清洗效率比傳統(tǒng)工藝提升40%。以及正在研發(fā)EUV光刻膠生產(chǎn)用的高純度臭氧氣體純化系統(tǒng)，金屬雜質(zhì)含量<0.1ppt。以上信息是否屬實(shí)？
    國(guó)林科技：尊敬的投資者，您好。公司現(xiàn)有半導(dǎo)體專用臭氧系統(tǒng)設(shè)備可以滿足工藝應(yīng)用，具體產(chǎn)品研發(fā)情況請(qǐng)您以公司于指定信息披露媒體刊登的公告為準(zhǔn)。感謝您的關(guān)注。
  • 2025-08-15 15:54
    irm1347477：公司半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)生的半導(dǎo)體級(jí)氣體（臭氧、二氧化碳、氨氣）能達(dá)到多少N的純度？
    國(guó)林科技：尊敬的投資者，您好。半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)生的半導(dǎo)體級(jí)氣體（臭氧、二氧化碳、氨氣）無(wú)法用純度標(biāo)定，只能以潔凈度或者濃度指標(biāo)參數(shù)來(lái)描述。感謝您的關(guān)注。
  • 2025-08-15 15:54
    irm1347477：目前國(guó)內(nèi)商業(yè)航天發(fā)射進(jìn)入高頻期，經(jīng)查閱資料，發(fā)現(xiàn)火箭試車及發(fā)射時(shí)，會(huì)產(chǎn)生大量的助推劑廢水需要處理。請(qǐng)問(wèn)目前，公司的臭氧法處理火箭助推劑，是比較好的選擇嗎？其優(yōu)點(diǎn)在哪？目前公司的火箭客戶還在使用公司的產(chǎn)品技術(shù)嗎？
    國(guó)林科技：尊敬的投資者，您好?；鸺囓嚰鞍l(fā)射過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量廢水，這類廢水具有劇毒、成分復(fù)雜、致癌性強(qiáng)等特點(diǎn)，利用臭氧的強(qiáng)氧化性，可將水體中的大分子有機(jī)物氧化為小分子有機(jī)物，增強(qiáng)有機(jī)物的可生物降解性，提高處理工藝凈化效率。臭氧氧化技術(shù)因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，已成為處理火箭推進(jìn)劑廢水的重要方法之一。感謝您的關(guān)注。
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